ФЭНДОМ


Nanolab-> Список оборудования по категориям

ОписаниеПравить

Установка для генерации изображений методами растрового и векторного лазерного экспонирования предназначена для прямого формирования рисунков на фоторезистах с использованием сфокусированного лазерного излучения.

Установка должна обеспечивать:

• климатические параметры (ламинарный воздушный поток, температурную стабильность, класс чистоты), необходимые для устойчивой бесперебойной работы системы лазерного экспонирования;

• активную виброизоляцию;

• автофокусировку лазерного излучения;

• метрологические измерения и регулировку процессов лазерного экспонирования и положения подложки;

• растровый и векторный методы лазерного экспонирования;

• совмещение структур по задней стороне;

• область записи – 200х200 мм2;

• работу с подложками толщиной до 6 мм.

Технические характеристикиПравить

'DWL 66FS - 'cистема безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения[1]






[2]

Лазерный генератор изображений Heidelberg DWL 66FSпредназначен для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.



Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.

Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.



Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.

Камера микроклимата входит в комплект поставки.



В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: He-Cd (442 нм, 180мВт), Kr-ion (413 нм, 300 мВт) или Ar-ion (363 нм, 180 мВт), UV (375 нм, 18 мВт).

Технические характеристики:Править

Минимальный топологический размер до 0,6 мкм;

Дискретность адресной сетки до 25,4 нм;

Скорость экспонирования для области 100 х 100 мм — до 416 мм2/мин;

Неровность края элементов до 60 нм;

Толщина подложки до 6 мм;

Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;

Размеры установки: 1740 х 1220 х 2200 мм, вес: 1000 кг;

Размеры блока управления: 560 х 600 х 1250 мм, вес: 60 кг;

Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A.

Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.


Состав установки в базовой комплектации:Править

Камера микроклимата;

Гранитное основание и основной блок;

Антивибрационная система;

Оптическая система;

Измерительная система;

Калибровочная система автофокусировки;

Система позиционирования подложки;

Электронный блок управления;

Персональный компьютер пользователя;


Комплектация по заказу :Править

Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;

Совмещение с обратной стороны с помощью дополнительных камер;

Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;

Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.


Лазерные источники:Править

Диодный лазер — 405 нм, 50 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;

HeCd лазер — 442 нм, 180 мВт, 4000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартных резистов, низкочувствительные резисты;

Ar-ion лазер — 363 нм, 180 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;

Kr-ion лазер — 413 нм, 300 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;

UV лазер — 375 нм, 18 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов


Режимы формирования рисунка:Править

Режим работы I II III IV V
Размер адресной сетки, нм 25 50 125 250 500
Минимальный размер элемента, мкм 0,6 1,0 2,5 5,0 10,0
Скорость рисования, мм2/мин. 1,5 5,7 36 119 416
Неровность края (3σ), нм 60 80 120 180 280
Равномерность (3σ), нм 80 100 220 440 880
Точность совмещения (3σ), нм 200 250 500 1000 2000

=СсылкиПравить

DWL-66fs на сайте производителя

DWL-66fs facts sheet

DWL-66fs на сайте ЭА

Обнаружено использование расширения AdBlock.


Викия — это свободный ресурс, который существует и развивается за счёт рекламы. Для блокирующих рекламу пользователей мы предоставляем модифицированную версию сайта.

Викия не будет доступна для последующих модификаций. Если вы желаете продолжать работать со страницей, то, пожалуйста, отключите расширение для блокировки рекламы.

Также на ФЭНДОМЕ

Случайная вики