ФЭНДОМ


Nanolab-> Список оборудования по категориям

ОписаниеПравить

Установка для генерации изображений методами растрового и векторного лазерного экспонирования предназначена для прямого формирования рисунков на фоторезистах с использованием сфокусированного лазерного излучения.

Установка должна обеспечивать:

• климатические параметры (ламинарный воздушный поток, температурную стабильность, класс чистоты), необходимые для устойчивой бесперебойной работы системы лазерного экспонирования;

• активную виброизоляцию;

• автофокусировку лазерного излучения;

• метрологические измерения и регулировку процессов лазерного экспонирования и положения подложки;

• растровый и векторный методы лазерного экспонирования;

• совмещение структур по задней стороне;

• область записи – 200х200 мм2;

• работу с подложками толщиной до 6 мм.

Технические характеристикиПравить

'DWL 66FS - 'cистема безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения[1]






[2]

Лазерный генератор изображений Heidelberg DWL 66FSпредназначен для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.



Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.

Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.



Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.

Камера микроклимата входит в комплект поставки.



В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: He-Cd (442 нм, 180мВт), Kr-ion (413 нм, 300 мВт) или Ar-ion (363 нм, 180 мВт), UV (375 нм, 18 мВт).

Технические характеристики:Править

Минимальный топологический размер до 0,6 мкм;

Дискретность адресной сетки до 25,4 нм;

Скорость экспонирования для области 100 х 100 мм — до 416 мм2/мин;

Неровность края элементов до 60 нм;

Толщина подложки до 6 мм;

Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;

Размеры установки: 1740 х 1220 х 2200 мм, вес: 1000 кг;

Размеры блока управления: 560 х 600 х 1250 мм, вес: 60 кг;

Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A.

Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.


Состав установки в базовой комплектации:Править

Камера микроклимата;

Гранитное основание и основной блок;

Антивибрационная система;

Оптическая система;

Измерительная система;

Калибровочная система автофокусировки;

Система позиционирования подложки;

Электронный блок управления;

Персональный компьютер пользователя;


Комплектация по заказу :Править

Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;

Совмещение с обратной стороны с помощью дополнительных камер;

Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;

Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.


Лазерные источники:Править

Диодный лазер — 405 нм, 50 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;

HeCd лазер — 442 нм, 180 мВт, 4000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартных резистов, низкочувствительные резисты;

Ar-ion лазер — 363 нм, 180 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;

Kr-ion лазер — 413 нм, 300 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;

UV лазер — 375 нм, 18 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов


Режимы формирования рисунка:Править

Режим работы I II III IV V
Размер адресной сетки, нм 25 50 125 250 500
Минимальный размер элемента, мкм 0,6 1,0 2,5 5,0 10,0
Скорость рисования, мм2/мин. 1,5 5,7 36 119 416
Неровность края (3σ), нм 60 80 120 180 280
Равномерность (3σ), нм 80 100 220 440 880
Точность совмещения (3σ), нм 200 250 500 1000 2000

=СсылкиПравить

DWL-66fs на сайте производителя

DWL-66fs facts sheet

DWL-66fs на сайте ЭА