Nanolab-> Список оборудования по категориям
Описание[]
Многоцелевой комплекс магнетронного осаждения металлов, сплавов и диэлектриков предназначен для высокоточного нанесения тонких пленок различных материалов на подложки различного происхождения диаметром до 6” (150 мм) в ВЧ-разряде, разряде постоянного тока или импульсном режиме.
Комплекс должен обеспечивать:
• магнетронное осаждения металлов в ВЧ-разряде, разряде постоянного тока или импульсное магнетронное распыление на подложки различного происхождения;
• нанесение равномерных однородных металлических, диэлектрических покрытий и сложных по составу многослойных покрытий с диапазоном толщин от единиц до сотен нм на поверхность подложек диаметром 6” (150 мм) или рельефных образцов;
• очистку поверхности подложек аргоном перед осаждением покрытий;
• автоматические режимы нанесения многослойных покрытий;
• контроль толщины покрытий в процессе осаждения;
• одновременное использование нескольких источников;
• возможность осаждения следующих материалов:
Металлы и сплавы: Ag, Al, Al-1%Si, Au, Co, Co/Fe/B 72/18/10 wt%, Cr, Cu, Fe, Gd, Mo, Nb, Ni/Fe 81/19 wt%, Pd, Permalloy (Ni/Fe/Mo/Mn 79/16.7/4/0.3 wt%), Pt, Ta, Ti, V, W, W/Ti 90/10 wt% ;
Полупроводники: Ge (нелегированный), Si-n, Si-p, Si (нелегированный);
Оксиды, нитриды, сарбиды: Al2O3, ITO, Li3PO4, LiCoO2, MgO, Si3N4, SiC, SiO2, Ta2O5, TiN, TiO2, WC, ZnO, ZrO2 (with 12 wt% Y2O3) .